В модуле имеется несколько физических интерфейсов - инструменты для получения записей моделей для описания набора физических уравнений и граничных условий. Полупроводниковый интерфейс решает уравнение Пуассона вместе с уравнениями непрерывности носителей заряда. Концентрации и промежутки электронов разрешаются явно. Можно выбрать между решением модели методом конечных объемов или методом конечных элементов.

Полупроводниковый модуль включает в себя несколько предопределенных моделей мобильности и возможность создания пользовательских пользовательских моделей мобильности. Эти два типа модели могут быть объединены несколькими способами. Каждая модель мобильности определяет выходной электрон и мобильность разрывов.

Выходная мобильность может использоваться в качестве входных данных для других моделей мобильности, тогда как уравнения могут использоваться для сочетания мобильности, например, с использованием правила Маттиессена. Определение распределения легирования является основополагающим для моделирования полупроводниковых приборов. Полупроводниковый модуль предлагает инструмент для определения профиля легирования. Вы можете указать постоянные и пользовательские профили легирования, или вы можете использовать приблизительный гауссовый профиль легирования.

Полупроводниковый модуль включает дополнительную базу данных с свойствами нескольких материалов. Каждый шаблон поставляется с документацией, которая включает теоретические основы и пошаговые инструкции о том, как создать шаблон. Вы можете использовать пошаговые инструкции и шаблоны в качестве отправной точки для других моделей и приложений. Решение уравнения дрейфовой диффузии с использованием метода конечных элементов с методом стабилизации по методу наименьших квадратов Галеркина Приближение времени релаксации, используемого для описания уравнения дрейфовой диффузии с использованием метода конечных объемов с схемой подъема Шарфеттера-Гуммеля процесс рассеяния Выделенные ресурсы для определения омического контакта, Шоттки и граничные барьеры. Предопределенные модели мобильности для фотонов, ионизованных примесей, рассеяния несущих носителей, рассеяния нейронных примесей, высокоскоростного насыщения поля и рассеяния на поверхности. Особенности скорости рекомбинации Оже, Прямого или Шокли-Чита или вы можете указать свой собственный Позволяет вам указывать допинг, гауссовские или ваши собственные постоянные профили, используя функции, которые изменяются пространственно.

• Определите свои модели мобильности.
• Статистика Ферми-Дирака и Максвелла-Больцмана.
• Биполярный транзистор с полупроводниковым полевым транзистором.
• Полевой эффект Транзистор-металл-оксид-полупроводник Диоды Шоттки.

Как вы увидите на видео, интуитивно понятный интерфейс и предварительно упакованные граничные условия делают модуль удобным в использовании. Эта модель показывает, как настроить простую биполярную транзисторную модель. Вычисляются выходные вольт-амперные характеристики в конфигурации общего эмиттера и определяется коэффициент усиления общего эмиттера.

Первоначально отношение тока и напряжения линейно, это омическая область. По мере того как напряжение источника стока увеличивает токовый ток для насыщения, это область насыщения. Результаты сравниваются с эквивалентным устройством из книги «Полупроводниковые приборы: имитационный подход» Крамера и Хитчона. Концентрация конкретного ионного вещества в электролите может быть определена путем измерения изменения напряжения затвора за счет взаимодействия между ионами и диэлектриком затвора.

Характеристики тока стока и напряжения затвора сначала вычисляются для определения порогового напряжения для устройства. Затем рассчитаны значения тока стока и дренажного напряжения для нескольких напряжений затвора. Параметры специй используются для создания эквивалентной схемы схемы с сосредоточенными элементами полуволнового выпрямителя, которая сравнивается с полным моделированием уровня устройства. Эта одномерная модель моделирует три различные конфигурации гетеропереходов при прямом и обратном смещении.

При увеличении параллельной составляющей приложенного поля носители могут получать энергии выше тепловой энергии окружающей среды и иметь возможность передавать энергию, полученную полем, в решетку оптическим фононным излучением. Последний эффект приводит к насыщению подвижности носителей.

В этой статье предлагается представить большое программное обеспечение для проектирования электронных схем. Перед составлением этого списка было рассмотрено несколько критериев. Схемы чертежей или электронные диаграммы нелегко узнать, если вы немного попрактиковаетесь и выбираете подходящий инструмент для проектирования. Вы можете быстро нарисовать диаграммы в браузере, используя доступные библиотеки. В качестве опции предлагается недорогая схема. Поскольку приложение работает в облаке, это дает пользователям удобство мобильности и мобильности.

Другим преимуществом облака является кросс-платформенная совместимость. Вот список бесплатного программного обеспечения для создания электронных схем. Он также дает доступ к некоторым важным основным компонентам. Это программное обеспечение рекомендуется только для новичков или новичков в области проектирования электронных схем.

Это полезно для рисования функциональных диаграмм. Бесплатная версия - это инструмент для продвижения своих платных версий, поэтому вы не найдете каких-либо важных или дополнительных функций в этой бесплатной версии. Он позволяет создавать электронные схемы, компоновку и моделирование цепей.

Он доступен для бесплатной загрузки. Прежде чем начать использовать его, вам нужно будет полностью изучить учебник. Вот список платного электронного чертежного программного обеспечения. Это облегчает проектирование схем, разработку макета, моделирование и другие функции.

Еще одна заметная особенность - тестирование в режиме реального времени. Что вы думаете об этом программном обеспечении для электронной схемы, которое можно использовать для создания электронных схем, макетов, схем соединений и т.д. Макет - это не макет, как следует из названия, а «тестовая пластина» или быстрая прототипирующая плата для электроники.

Таким образом, пластина состоит из множества отверстий, некоторые из которых электрически соединены друг с другом. Существуют разные форматы и различные размеры макета. Вот один из самых популярных форматов макетов. Эти тестовые пластины очень просты в использовании. В стандартной макетной табличке две верхние и нижние линии электрически соединены. Аналогично, каждый столбец в центре состоит из точек, соединенных электрически. Таким образом, создание электронной схемы значительно облегчается путем простого вставки нескольких компонентов в отверстия и использования нескольких электрических проводов.

Есть даже прозрачные контрольные пластины. Схематически точки, таким образом, взаимосвязаны следующим образом. Очень большое количество электронных компонентов может быть подключено напрямую и просто к макету. И вот провода, которые можно использовать для соединения компонентов между столбцами.

Первый тип провода удобен для визуализации окончательной рендеринга электронной схемы. Второй тип провода легче обрабатывать, но он быстро теряется при увеличении количества используемых проводов. Кроме того, гибкие провода имеют тенденцию отклоняться по бокам, а иногда и плохие соединения, когда разъемы испытательной пластины используются несколько раз. Поэтому мы рекомендуем использовать жесткие провода и всегда иметь небольшие плоские плоскогубцы, чтобы легче их снимать.

Включение макета

Вот примеры электронных схем, которые можно получить на макетной панели. Существует множество решений для подачи теста. Батареи могут использоваться с небольшим адаптером, который обеспечивает положительный вывод и отрицательный вывод, непосредственно подключаемый к макету.

Предостережение: эти модули питания рассчитаны на максимальный ток 700 мА, тогда как аккумулятор 9 В может обеспечить максимальный ток 50 мА в течение длительного периода времени. Кроме того, батарея может быть повреждена. Таким образом, для тех, кто хочет делать монтажи с интенсивностью более 50 мА, можно использовать адаптер переменного тока. Адаптер питания 9 В предпочтительнее 12 В, так как плата питания затем нагревается меньше и, следовательно, может быть менее склонна к выгоранию.

Программное обеспечение для моделирования электронных схем

Соединение тестовой пластины рассчитано на мощность 5 Вт. Существует несколько программ для моделирования электронных схем, но есть два, которые выделяются из-за их простоты использования и их способности представлять схемы, которые читаются всеми, позволяя поделиться своим опытом с Обледенение на торте: эти программы бесплатны!

Этот симулятор позволяет визуализировать макет и прокладывать электронные компоненты, а также прокладывать провода между компонентами. Необходимо нажать кнопку «Начать симуляцию», чтобы увидеть его электронную схему. Обратите внимание, однако, что в свободной версии все схемы, которые реализуются, являются общедоступными. Для тех, кто считает, что они делают что-то исключительное и не хотят раскрывать свою схему для всех, это все еще платное решение, но хорошо подтолкнуть людей к публикации их работы, распространение знаний.

В действительности, это займет гораздо больше внимания, используя реальные электронные компоненты. Таким образом, этот симулятор может позволить провести некоторые виртуальные тесты до конкретной реализации, но программное обеспечение не освобождается от ошибок и не имитирует все и может дать ложное представление о безопасности, которое может стать опасным, поскольку некоторые компоненты должны обрабатываться с осторожностью.

Например, поляризованный конденсатор, подключенный вверх дном, может взорваться! Суперконденсаторы обычно не поляризованы, но при зарядке суперконденсатора необходимо соблюдать максимальный предел напряжения. В более общем плане, манипулирование электрическими компонентами и электричеством несет определенный риск, и лучше знать, что делается, и знать компоненты, которые обрабатываются.